Номер детали производителя : | HS1DL RQG | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | HS1DL RQG.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | HS1DL RQG |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | HS1DL RQG.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950 mV @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 50 ns |
Упаковка / | DO-219AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | HS1D |
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA